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TOF SIMS在OLED方面的應(yīng)用

瀏覽: 時(shí)間:2022-03-10

 Iida, S, Murakami, T, Kurosawa, Y, Suzuri, Y, Fisher, GL, Miyayama, T. Time-of-flight secondary ion tandem mass spectrometry depth profiling of organic light-emitting diode devices for elucidating the degradation process. Rapid Commun Mass Spectrom. 2020; 34:e8640. https://doi.org/10.1002/rcm.8640

利用GCIB對(duì)新鮮的OLED樣品以及亮度衰減50%的OLED樣品進(jìn)行深度分析,TOF-SIMS在深度分析時(shí)可以同時(shí)得到質(zhì)譜圖、Mapping圖以及深度曲線圖,由質(zhì)譜圖可知,相比于新鮮的OLED樣品,降解后觀察到低質(zhì)量碳?xì)浠衔镫x子的增加,如[C3H5]+、[C4H7]+、[C5H9]+、和[C6H9]+(圖3(A))。此外,這些碳?xì)浠衔锼槠诜治鰠^(qū)域內(nèi)定位到幾微米大小的缺陷區(qū)域(圖3(B)),并貫穿整個(gè)剖面深度(圖3(C))。而且,無論是新鮮的OLED樣品以及亮度衰減50%的OLED樣品,在有幾層/ITO界面處都發(fā)現(xiàn)有較強(qiáng)的C5H9/C6H9,這些小的碳?xì)浞肿幼悠?,一部分來源于有機(jī)層的降解,另一部分來自于ITO層的表面污染。

TOF SIMS在OLED方面的應(yīng)用 

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